工商時報報導，雖然韓國三星電子大舉將DRAM產能轉至生產NAND晶片，但仍維持DRAM總產出量不變或小幅成長，但根據集邦科技統計，2003年三星及Hynix加計DRAM總產出仍逐月成長。由此可見，三星DRAM產能轉換至NAND晶片的產能排擠效應並不明顯。

該報導指出，由於NAND晶片價格與毛利遠高過同容量的DRAM，三星自今年第2季起便開始轉撥DRAM產能，改而生產NAND晶片，根據市場調查機構iSuppli調查，三星至年底時可望轉撥約2座8吋廠及半座12吋廠的DRAM產能去生產NAND晶片，估算月產能合計達10萬片至15萬片8吋晶圓，佔三星總產能約3成至4成。

三星積極轉撥能生產NAND晶片動作大，市場原本預期DRAM總供給量將減少，有助於DRAM價格回穩或上漲。不過根據集邦科技最新統計，11月韓國地區DRAM總產出量達1億2100萬顆256Mb約當顆粒，並沒有較10月份少。外資分析師表示，三星下半年NAND晶片產能不斷開出，但因為三星領先同業導入0.11微米製程量產DRAM，單片晶圓產出較同業多出35％至45％，恰巧補上轉撥生產NAND晶片的產能缺口。

分析師指出，以目前三星產出狀況來看，NAND晶片並沒有排擠掉DRAM產出量，只是讓三星DRAM今年位元成長率（bit growth）由原訂50％降至30％而已。而全球日本爾必達（Elpida）、台灣南亞科、力晶、茂德等DRAM廠新產能又不斷開出，所以市場希望透過三星減產效應，來壓抑DRAM供給量成長，進而拉抬價格上揚的夢可說已破滅。