工商時報引述華爾街日報消息指出，為提升半導體的效能，全球主要的晶片業者莫不致力於從矽及其他材料中尋求突破製造科技瓶頸的方法，IBM、德州儀器（TI）、英特爾（Intel）、台積電、超微（AMD）等，在相關研究上都各有斬獲，將在本週登場的國際電子元件會議（IEDM）上發表最新成果。

根據報導，IBM已成功地運用讓分子自行聚合成電路的技術，並認為這將是目前普遍使用的光蝕刻技術的可能替代方法。TI將在IEDM提出論文，探討可能可以將目前還處於實驗階段的單電子電晶體（SETs）用於晶片製造。迄目前為止，SETs的用途主要都被界定在儲存資料上，然而TI及洛桑瑞士聯邦科技研突所的研究人員所做過的模擬，卻顯示可以結合SETs及傳統電晶體，發揮其他的功能。

Intel去年曾作出震驚業界的宣示，聲稱該公司將把應變矽（Strained Silicon）科技導入一種製程中，而這種製程目前已邁入量產階段。Intel製程架構與整合主管波爾表示，將在IEDM中揭露新的進展，包括晶片的速度提升25％，而成本卻只增加2％。台積電則將在IEDM上提出有關展延矽原子、藉以加快電流流速達45％的研究成果。而台積電也在另一份報告中指出，該公司已做出適合SRAM的儲存晶格，體積比Intel近來聲稱將用於下一代製程的晶格小21％。

AMD則將進一步闡述該公司可能在2005年之後導入的三閘門電晶體。超微製程科技開發副總裁桑德預估，這種新元件可加快電流流速50％。另外還有其他探討新材料運用方法的論文，包括所謂的高介電材料，用以降低晶片的漏電量。Intel已聲稱在這個領域有所突破，TI也將表示該公司在鉿矽氮氧化物材料上亦獲致進展。