據經濟日報報導，由於記憶體業者南韓三星、海力士（Hynix）、力晶等2004年將大舉調撥產能在資料存取型快閃記憶體（Data Flash），大幅減少DRAM供給，預計該缺口將逾5％，而市調機構預期，未來五年Data Flash的複合成長率將超越DRAM，產值達150億美元規模。

該報導引述外電指出，三星2004年將調撥1萬片12吋廠月產能投入Flash生產，降低DRAM投片比率；日本東芝亦計劃2004年投資12吋產能擴大Flash製造。此外日本瑞薩（Renesas）也決定提高產量，與力晶合作推出0.13微米1G Flash，並在力晶12吋廠每月投產6000片。

DRAM業者表示，現階段1Gb Flash的製造成本約為七、八美元，相當於512M DDR的成本，因供不應求，現貨售價卻高達35美元，存在極大的獲利空間。而目前512M DDR報價僅8美元，相當貼近成本。

近期1Gb Flash報價持續飆漲，每顆達36美元，較7月份的17美元，價格暴漲逾倍。國際市調機構預期，未來五年受惠於數位相機、隨身碟及手機MMC卡需求，Data Flash的複合成長率為30％到40％，2008年將超越DRAM，產值達150億美元規模。