工商時報報導，全球第一大記憶體晶片製造商南韓三星電子日前發表全球首顆以70奈米製程生產的4Gb NAND規格快閃記憶體（Flash）新產品，該公司指出，由於Flash需求成長快速，該公司記憶體部門第三及第四季營業毛利率將「大幅走高」。

該報導指出，三星電子週一發表全球首顆以70奈米製程技術製造的4Gb NAND規格的快閃記憶體及80奈米技術的DRAM新產品，該公司表示，在2003年底前，70％的三星電子晶片將以0.1微米以下的製程技術生產。

而目前針對嚴重缺貨的Flash市場高達40％的供需缺口，三星目前只能應付五分之三的訂單，預計市場的強力需求將可延燒至2005年。

三星電子半導體業務含蓋記憶體晶片、面板及系統大型積體電路，半導體部門第二季營業毛利率達15％。三星表示，由於預估記憶體晶片市場將持續擴張，加上該公司轉進先進製程的節省成本效益顯現，預估三星電子下半年記憶體業務的營業毛利將可較第二季「強勁成長」。三星表示第二季記憶體業務的營業毛利率高於15％，但確切數字要在十月公佈的第三季財報中才會公佈。