英飛凌科技與中芯國際積體電路製造（上海）公司（SMIC），日前正式宣佈雙方簽訂協定，進一步合作生?標準記憶體晶片（DRAM）。根據協定的補充條款，英飛凌將轉移0.11微米的DRAM溝槽技術和12吋晶圓的專業知識予中芯國際，而中芯將以此技術專為Infineon製造產品。

英飛凌科技表示，此代工協議將提升英飛凌的整體?能。中芯國際目前正在北京興建的12吋晶圓廠，將?英飛凌提供每月約15,000片以上的產能。2002年12月，雙方簽訂的技術轉移協定中表明，中芯國際可使用英飛凌的0.14微米DRAM溝槽式技術，於其上海的8吋晶圓廠，專?英飛凌生?記憶體晶片。隨著中芯國際北京12吋晶圓廠進程的推進，其15,000片的月產能，加上8吋晶圓廠20,000片的月產能，使其總產能達到相當於58,000片的8吋晶圓產能。新建的12吋晶圓廠預計將於2004年夏天製造出第一批?品。

英飛凌記憶體事業部執行長Harald Eggers博士表示︰「藉由擴大與中芯國際的合作，英飛凌在不須投資生產設備的情況下，便可拓展記憶體產品業務。並且，英飛凌能藉此提高在中國市場的市佔率，成?亞太地區的半導體領導廠商。」

中芯國際總裁暨執行長張汝京博士表示︰「我們很榮幸能夠拓展與英飛凌的合作關係，隨著半導體業委外代工比重的不斷擴大，中芯國際高品質的代工服務將?雙方開創雙贏局面。」

英飛凌並且指出，此次合作不僅進一步鞏固英飛凌?全球第三大DRAM製造商的地位，並使其成?中國市場主要的半導體供應商。根據Gartner Dataquest的預測，中國半導體市場規模將從2002年的160億美金，成長到2006年310億美金左右。