據外電報導，由於具備數位相機（DSC）及MMS功能的手機已成流行趨勢，手機用記憶體正面臨世代交替；長期居主流地位的NOR型快閃記憶體（Flash）及SRAM，已逐漸被NAND型快閃記憶體、類SRAM或低耗能DRAM取代。

NAND型快閃記憶體除了在記憶容量上佔優勢外，成本低亦為另一有利因素；以NAND型快閃記憶體大廠東芝為例，東芝與以色列的M-System合作研發、以0.13微米製程技術生產的512M NAND型快閃記憶體，所需的生產成本約可壓低到以相同製程生產的NOR型產品的三分之一。

但對手機廠商來說，快閃記憶體由NOR型轉變成NAND型必須將手機程式做部分更改，對廠商而言是一項多餘的負擔，是故NAND型快閃記憶體仍難在短期內完全取代NOR型。日本研究機構日經Market Access報告指出， NTT DoCoMo春季新款手機搭配100萬畫素DSC的 505i系列，便已開始採用NAND型快閃記憶體，但預估最快要到2004年以後，NAND型才有可能取代NOR型快閃記憶體，成為手機記憶體的主流。

類SRAM為構造與DDR相似，並兼具SRAM快速存取等特徵的非揮發性記憶體，因價格僅約SRAM的20～50％，因而廣被手機廠商採用。自2000年第四季起，16M類SRAM開始搭載於手機上， 目前32M類SRAM已成日本手機主流，64M 類SRAM的比重亦逐年增加。

日經Market Access報告指出，在日本已有高達9成以上的手機搭載類SRAM，2003年開始全球手機市場對類SRAM的需求將持續擴增。除類SRAM外，2003年1月出現搭載64M DRAM的手機機種。DRAM在記憶容量及價格上雖更具優勢，然耗電量較高的問題仍難克服，一時之間仍無法對SRAM、類SRAM造成威脅。