據外電報導，日本東芝日前表示該公司將以分階段施工的方式，於日本興建兩座12吋晶圓廠，以紓解資金過於龐大的壓力；而兩座晶圓廠的施工順序，則是以產品需求的向來決定。

據彭博資訊（Bloomberg）報導，東芝計劃在現有的大分及四日廠區內，各建造一座12吋晶圓廠，分別生產系統晶片（System LSI）及NAND型快閃記憶體。而由於預估建造一座12吋廠所需資金高達1,000億～2,000億日圓，除積極尋求在NAND型快閃記憶體上有合作關係的廠商共同出資，如SanDisk等，亦打算以分階段施工的方式來進行晶圓廠興建計畫。

東芝在2002年4月正式退出DRAM市場後，系統晶片及NAND型快閃記憶體就成為該公司半導體事業的2大支柱。然面對數位家電用系統晶片上的英特爾（Intel）、松下電器，NAND型快閃記憶體方面的南韓三星電子等競爭對手，東芝為在激烈的競爭中勝出，才計畫興建高生產效率的12吋廠。

東芝表示目前晶圓價格仍高，故採用12吋晶圓所能達到削減成本的效果有限；預計到2004年後，晶圓價格將開始下跌，東芝也開始啟用2座12吋廠。東芝預定在2002年底提出2座12吋廠的建造順序等詳細計畫，目前暫定於2003年中開始動工；2004下半年投產。