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IBM授權Mosis之0.13/0.18 CMOS技術
 

【CTIMES/SmartAuto 謝馥芸 報導】   2002年10月03日 星期四

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根據外電消息,IBM昨日對外宣布,將授予晶片供應商Mosis公司0.13~0.18微米CMOS製程技術,包括銅導線製程量產技術。成立於1981年的Mosis,原為美國政府美國國防部高等研究計畫局(DARPA)之基金機構,進入商業化、研發及消費性市場後,該公司專為新興企業及大學建立MPW(多重計畫晶片;Multi-project wafer)製程。MPW是在單晶圓上進行多樣設計,使設計團隊能有效減少成本。

另外,IBM計畫提供Mosis進入0.25微米CMOS製程,以擴展RF方面應用;低量生產也可透過MPW獲得服務。IBM表示,IBM的矽鍺(SiGe)技術已從Mosis使用一部分的MPW。

MPW是將不同客戶的新產品設計,整合放在同一組光罩上進行製造,客戶們能夠共同分攤先進製程的昂貴成本,並且可獲取各自所需的少量產品。使用MPW的廠商,只需付出原本單獨試製成本的十分之一或更低的價格,就能完成新產品驗證。

關鍵字: 0.13微米  0.18微米  MPW  SiGe  IBM  Mosis  DARPA 
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