國內晶圓廠製程競賽分為兩部份：一為由0.13微米跨入0.1微米；另為12吋晶圓廠進入商業量產階段，除動態隨機存取記憶體 (DRAM)技術仍仰賴技轉外，台積電、聯電自行研發的製程技術正式追上美、日大廠。

國際大廠今年也紛紛投入奈米研究。超微（AMD）去年底成功開發速度最快的CMOS電晶體，閘長僅15奈米，未來將運用此技術開發新世代處理器，速度將提升十倍。英特爾才宣布成功開發Tera Hertz（兆赫）電晶體，電晶體每秒開關可達1兆次以上，閘門為15奈米，其晶片密度在2005年至2010年間，將達到10億個電晶體水準。

由於景氣復甦在望，台積電已於晶圓四廠展開0.1微米製程驗證，預計今年第二季投產，並導入12吋晶圓廠。聯電則加快0.1微米的布局，新任技術長溫清章銜命於今年第一季，完成新製程的驗證。

至於華邦、茂德、力晶及南亞科技等DRAM廠，今年也將逐步解決技轉來源問題，華邦、茂德可望源自德國億恆，至於南科則與與IBM合作，力晶則擴大與日本三菱的技轉領域，從DRAM、快閃記憶體到邏輯代工。