科勝訊系統(Conexant Systems Inc.)日前表示取得矽鍺(SiGe)積體電路製程技術的重要突破，新推出的SiGe200製程技術擁有目前業界矽製電晶體的效能，同時具有切換速度在電流(轉換頻率Ft為200GHz)與功率消耗(最高頻率Fmax為180GHz)上的最佳組合。

矽晶片技術的成本優勢帶向各種範圍廣泛的高度整合光纖網路應用元件，提供每秒達80Gbps的超快速資料率元件以及多通道10Gbps電路的超低耗電功能，無線通訊元件將同時能夠由這個新製程所提供的低雜訊、低耗電與更佳的線性度取得發展的優勢。

科勝訊系統主席兼執行長Dwight W. Decker表示:「提升光纖通訊資料率的需求帶來了更高效能製程技術的發展，我們的超快速SiGe200製程技術為高效能、低成本的無線通訊與基礎架構元件，提供了清楚的未來升級途徑，進一步推動通訊技術的發展。」

科勝訊表示，該公司的SiGe200突破性製程技術是經驗證的0.18微米SiGe雙極互補金氧電晶體(BiCMOS)製程技術SiGe120為基碟所演化而來，這個製程整合了特別的雙極電晶體設計，可透過縮小體積來提供效能的優勢，就如標準CMOS技術中電晶體的縮放技術一般，直到最近，雙極性電晶體由於某些限制，一直無法使用侵入式側面縮放技術，直到這項新方法的推出才取得突破。

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