十月上旬一二八Mb動態隨機存取記憶體(DRAM)現貨價跌破一美元，雖然國內外各DRAM廠仍持續量產出貨，但為避免虧損亦字擴大，業者也開始調整產能分配，開始加大價格較佳的二五六Mb　DRAM的出貨量；加上通路商甚至預期會跌破1美元，此價位將擴大DRAM廠虧損，國內業者不得不轉型。

根據集邦科技(DRAMeXchange)報價，二五六Mb　DRAM平均現貨價已在上週跌至一二八Mb　DRAM的二倍價位，業者遂指出，根據以往DRAM市場經驗法則，當新一代DRAM產品價格是目前主流產品的二倍時，代表了DRAM市場已開始進入產品世代交替期，主要DRAM廠將會開始減少主流產品的投片量，並撥出產能生產新一代產品，亦即全球二五六Mb　DRAM的產量將自第四季開始進入主成長期。

業者也表示，在八吋廠中以○．一七微米製程量產一二八Mb　DRAM，每顆固定成本約在○．八美元至一．三美元之間，若再加上約○．四美元的封裝測試成本，一顆一二八MbDRAM的製造成本至少也需一．二美元，因此當現貨價跌破一美元時，業者已是進入現金淨流出狀態，的確也到了轉向生產新一代產品的時間點。

茂矽已準備將多餘的6吋廠產能轉移衝刺附加價值的功率IC進軍，近期將敲定與美商合資8,500萬美元成立新合資公司的投資案。力晶也預定減少明年DRAM的投片量，騰出約30%的產能，承接利基型的低功率靜態隨機存取記憶體（Low Power SRAM）、嵌入式記憶體、快閃記憶體及部分通訊及消費用晶片，為此，力晶還特別從三菱移轉0.18微米、0.14微米與0.12微米邏輯與嵌入式記憶體製程技術及矽智權(IP)，提升承接邏輯元件的製程技術。世界先進也決定提高代工比重。不過世界先進將以成為專業記憶體代工廠為方針。預期第四季導入的產品包括快閃記憶體、低功率靜態隨機存取記憶體等。

以國內主要DRAM廠來看，包括南亞科、力晶、華邦等業者，都有減少一二八Mb　DRAM投片量的動作或計劃。如南亞科已決定自十月份起將一二八Mb　DRAM的產出調降一半，轉進較有利可圖的二五六Mb DRAM與倍速資料傳輸記憶體(DDR)；力晶、茂德的八吋廠則已開始減少一二八Mb DRAM投片量，調撥產能切入非DRAM產品市場，新規劃的十二吋廠產能則鎖定二五六Mb DRAM。