聯電已決定向應用材料公司購買多套Quantum高電流低能量離子植入設備，並安裝在台南科學園區300mm 12A晶圓廠中，這是聯電繼去年採購應用材料多套200mm Quantum機台後的最新訂單。聯電12A廠副廠長廖寬仰表示：「在針對200mm Quantum/LEAP設備進行深入評估後，我們發現唯有Quantum/LEAP設備的高電流技術，可涵蓋各種客戶的設計需求，並滿足聯華電子對於技術與效益的要求。我們選擇Quantum設備以支援300mm晶圓生產，不僅因為此設備現有的功能，也因為具有升級至其可涵蓋至下一世代0.10微米晶片設計的特性。」

應用材料公司Quantum可支援所有「導電性」（conductive）離子植入應用，涵蓋200eV超低能量植入至120keV.低能量植入技術，為0.13微米與更精密製程的一項重要技術。Quantum的廠房使用面積小，並具有由200mm延伸至300mm晶圓製程設備之特性，也是唯一被美國、亞洲、日本及歐洲等主要半導體廠商，廣泛應用於0.13微米晶圓製造的低能量離子植入設備。

根據VLSI市場研究公司之資料顯示，2000年離子植入設備市場總額為16億美元，預計到2005年時會增加為24億美元的市場規模，其中高電流及低能量離子植入設備在2000年的總額約為7.5億美元，預計2005年時會增加至8.6億美元。