茂德科技公司積極擴張動態隨機存取記憶體(DRAM)版圖，決定展開第二座12吋晶圓廠投資計畫，目前已針對三到四處廠址進行評估，最快明年下半年動工，從0.1微米製程切入，並不排除和國際IDM大廠合資。

茂德營業處處長兼發言人林育中10日表示，原本預定利用茂矽在台南科學園區預定的土地興建，但高鐵振動使華邦、矽統等決定撤出南科，茂德也決定放棄，轉尋海外或國內其他據點興建。海外設廠評估關鍵係考量國際化，至於國內設廠的考量因素係便於管理。

林育中強調，茂德去年隨機存取記憶體產能在全球市場占有率約5%，排名第七位，雖然近期DRAM價格低迷，但茂德仍堅信DRAM仍是一項長期獲利相當不錯的產業，為擴大產品優勢，有必要投資興建第二座12吋晶圓廠。