Fairchild Semiconductor宣佈與北卡羅來納州的Silicon Wireless合作，注資成立新技術結盟關係。新合作計劃有助美國快捷與Silicon Wireless共同開發製造和營銷RF功率半導體，象徵美國快捷半導體公司拓展另一新商機。

美國快捷現為全球價值70億美元功率晶體管市場的先導供應商，也是業內離散市場增長最快速的部分。正當美國快捷在這個市場其中價值30億美元的功率MOSFET市場中享受領先地位，與Silicon Wireless的合作計劃則進一步為公司開拓快速發展的功率晶體管市場。據SIA(Semiconductor Industry Association)預計RF功率晶體管於2000年增長達100%，2001年市場價值達15億美元。這是由於受流動電話和局域網絡用無線基站需求刺激帶動市場迅速發展。

據美國快捷離散功率及信號技術部門高級副總裁及總經理Izak Bencuya表示，一般估計未來三年無線基站市場發展快速，新基站數目將增加至530個，美國快捷將專注繼續透過領先科技開發種類繁多的新品。公司跟Silicon Wireless的合作計劃將為快速增長的市場提供更多元化的新品。

Silicon Wireless公司由B.Jayant Baliga博士創立，主要為其專利RF半導體技術推廣至無線市場。Baliga博士曾被Scientific American評為半導體革命八大英雄之一，獲國際推崇為功率半導體工業的代表人物。Baliga博士是IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)的發明人，著作達10本，並曾在550本科技雜誌發表文章，擁有100項以上美國產品專利。

Baliga博士表示，Silicon Wireless將在這個業界重要時刻與美國快捷保持緊密合作，而公司的架構令他們能專心開發新一代技術，與業內翹楚如美國快捷相輔相成，為市場以最快速度提供最可靠的解決方案。

美國快捷於這次合作計劃將投資現金、R&D和營銷資源約1千萬美元予Silicon Wireless公司。而Silicon Wireless公司則會直接與美國快捷的離散功率和信息技術部門合作科研。根據合作協議內容，美國快捷將擁有製造及銷售相關產品的特許權利，而Silicon Wireless公司則可製造和銷售其專利RF功率放大模組產品技術。