根據日本報紙報導，NEC、東芝、日立、富士通、三菱電機、松下電器、SONY、夏普、三洋電機、沖電器工業、Rohm等11家日本半導體廠，聯合出資750億日圓(約250億台幣)，共同研發0.1微米以下的動態隨機存取記憶體(DRAM)技術。

日本報紙指出，750億日園中的375億日圓，將由11家半導體製造廠商平均負擔；餘下的375億日圓，由11家半導體製造廠，按照個廠的出貨比重加權負擔。NEC人員表示，此共同研發0.1微米以下的半導體製造新技術計畫，將在五年內完成。半導體業者說，半導體性能及成本取決於積體電路(IC)的線幅寬度，而目前最先進的線幅寬度約在0.1微米以上。歐、美各家大廠已開始研發先進技術，企圖研發出0.1微米以下的半導體製造技術，以在未來的競爭中取得領先的地位。