聯發科積極布局中國大陸TD-LTE已久，長期以來一直配合中國移動與工信部進行TD-LTE終端測試。面對全球發展4G的趨勢，聯發科如今正專注於研發雙通模式與可攜式Hot Spot裝置。今日(25)聯發科參與4G International Summit，其資深總監但漢聲表示：「全球LTE市場發展很快，可望是手機晶片下一個發展重心，預計明年下半年推出中國規格TD-LTE、FDD-LTE的4G智慧型手機晶片。」

但漢聲認為：「LTE真的越來越重要了！」從明年開始，LTE在通訊產業的發展上，是很重要的調配。目前全球主要LTE頻段已經有超過10個以上，以LTE發展來說，美國跑得最快，尤其是Verizon為領頭羊，其次是AT&T；而亞洲部分，則以日本NTT DOCOMO、韓國為先。

因此，從各國發展4G經驗案例來看，聯發科將會藉由2G、3G的經驗，去延伸發展4G，並且讓4G的手機晶片能夠向下相容，因此，2G、3G將會是聯發科往4G發展的重要基礎。不過，聯發科在積極發展4G市場之際，並不會放棄經營2G智慧手機。

據了解，聯發科正在想盡辦法通過雙通手機以及可攜式Hot Spot裝置的測試，針對4G智慧手機的研發，但漢聲表示：「此時此刻，聯發科將會專注於研發『在雙通模式下，能夠減少功耗』的晶片解決方案。」他解釋，以往雙通手機，功耗一直是很大的問題，因此如何將功耗降低，是發展4G智慧手機晶片的關鍵。

然而，不只是功耗問題，Han Tan說明，其實發展4G LTE手機所遇到的挑戰與課題，有以下五項：一，為了發展4G，又必須往下相容2G、3G的情況下，晶片必須支持眾多連接埠，導致整個Layout難以設計。二、頻譜干擾、多頻相容的問題。三、天線設計以及電路板布局困難。四、終端功耗過大。五、測試認證成本花費相當高。他說，相信只要能夠儘快克服這些挑戰，聯發科面對4G產業競爭，將會有很好的優勢。