半导体产业能否继续按照摩尔定律往下走,Intel提出解答。Intel于今日(5/5)正式对外公布可量产的立体三闸晶体管技术(3-D Tri-Gate transistors);并宣布这项技术的第一项应用产品,就是开发代号为Ivy Bridge的22奈米新平台处理器,空前地结合低功耗与高效能的优点。
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英特尔的3-D、三闸(Tri-Gate)晶体管让芯片能在更低的电压下运作,且降低漏电,相较于先前最先进的晶体管,不仅效能提升且更加省电。 BigPic:326x282 |
Intel资深研究院士Mark Bohr表示,立体晶体管技术的最大特点,就是将平面闸极改为硅晶薄片,将薄片状的晶体管垂直附在硅基板表面。薄片三个平面上各置有一个闸极,用来控制电流 – 两侧各有一个,第三个则置于顶端,而平面晶体管则只有在顶端处的一个闸极。由于晶体管薄片为垂直排列,彼此间的距离得以缩小,藉以提升密度,从根本面破除摩尔定律在2D晶体管不断微缩所面对的极限。
增加更多控制组件,让晶体管可以更灵活地控制出入电流。在最低耗电时,可懹电流趋近于零;而在运作状态时,也能流入更多电流以达更高效能;增加控制组件同时也可以让晶体管保持更快速地开关。
与Intel32奈米平面晶体管运作效能相比,立体三闸晶体管在低电压模式可提升37%的效能;而在维持同样的效能时,立体三闸晶体管的耗电量缩为一半。藉由新款Ivy Bridge22奈米新平台处理器,Intel力图将ATOM处理器推至各种迷你掌上型装置,并信心喊话表示ATOM在低功耗高效能的表现能力不一定会比ARM处理器来淂逊色。
Mark Bohr说,Intel于2002年起投入立体晶体管之研发,此时立体晶体管技术是50年来半导体产业的重要惊人进展,重要性超越了摩尔定律的准确延伸。Ivy Bridge处理器预计在今年底前开始量产,并于明年正式推出。