虽然可携式电子产品对NAND规格快闪记忆体（Flash）需求不断增加，但因市场供过于求，使市场主流产品128 Mb容量快闪记忆体合约价仍然呈现跌势。市场调查机构iSuppli预估，韩国三星电子上半年NAND规格快闪记忆体总出货量，与去年同期相较成长一倍以上，在市场严重供过于求下，价格仍持续看跌，今年合约均价有可能跌至2美元。

据工商时报报导，数位相机、PDA等可携式电子产品第一季出货量明显较去年第四季成长，市场对于NAND规格快闪记忆体需求也大幅成长，但是需求端的成长并未造成记忆体晶片价格上涨，iSuppli指出，这是因为供给端增加的幅度大于需求成长幅度所致。

由于DRAM价格低于单位总成本，东芝去年四月正式退出DRAM市场，全力增产NAND规格快闪记忆体，去年第四季新增加的生产线投入运作，导致今年第一季NAND快闪记忆体出货量成长近二成，至于已转拨三座DRAM八吋厂生产快闪记忆体的三星，新产能则在近期大量开出，三星上半年NAND快闪记忆体出货量，有可能是去年上半年的一倍以上。

根据iSuppli统计，由于美伊战争因素，预期第二季全球NAND快闪记忆体需求将会与第一季持平，但是在供给部份，三星、东芝第一季因新产能大量开出，市场无法有效去化，所以目前库存量已达四周左右，而预估二家业者第二季产出将较第一季再成长一成至二成，在需求未出现稳定成长的情况下，第二季NAND快闪记忆体合约均价有可能跌至二美元。

虽然对NAND快闪记忆体价格不乐观，但iSuppli仍预估今年市场总产值仍将呈现成长。 iSuppli表示，虽然晶片合约价可能因市场超额供给而出现重跌，但预估在三星、东芝全力增产下，全球出货量可望较去年成长二倍，所以今年全球NAND快闪记忆体总产值仍有机会成长5％至10％，并超过30亿美元。