据工商时报引述日本经济新闻报导，日本半导体大厂将以补强LSI（大规模集成电路）部份生产线的方式扩大产能，以因应数字家电对芯片需求的增加；NEC计划在两年以增加设备的方式提升三成产能，而东芝亦将在九州岛大分工厂增加尖端LSI的产能。

该报导指出，LSI是在硅晶圆上透过曝光、蚀刻、成膜等3至4百道工程以形成电路。随着线路的微细化，使得制造过程中绝缘膜形成的能力不足（与前、后段工程比较），而使整体产能的扩增出现障碍。

为克服此一瓶颈，NEC将在其山形与九州岛厂公司追加绝缘膜工程设备。预期在2005年春季将产能提高三成。东芝则经决定在大分工厂增强铜配线工程的能力，增加130奈米以下的先进制程LSI的产量，投资额估计为50亿日圆以上。

报导指出，全球半导体需求复苏，许多半导体业者料将提前实施原先的投资计划以消弭瓶颈，同时也可预见部分厂商将会向上修正设备投资额。