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英飞凌 CoolGaN e-mode HEMT 获 Computex Best Choice Award 类别奖
 

【CTIMES / SMARTAUTO ABC_1 报导】    2019年05月21日 星期二

浏览人次:【2471】

英飞凌科技今日宣布,旗下氮化??功率元件CoolGaN e-mode HEMT 系列凭藉其高功率密度、同级最隹效率及降低系统成本等优势,荣获 2019年度Computex BC Award 类别奖。同时,英飞凌也是目前市场上唯一一家专注於高压功率器件,涵盖矽(Si)、碳化矽(SiC)和氮化??(GaN)材料的全方位供应商。

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英飞凌CoolGaN e-mode HEMT 采用常闭式( norm-OFF) 概念,不仅让设计人员容易导入,同时也实现快速开通和关断。CoolGaN 开关具极低的栅极电荷及反向导通状态下的优异动态性能,能够进而大幅提高系统工作频率,从而透过缩小储能及能量转换元件的总体尺寸,提高功率密度,在相同能效下的功率密度可达140 W / in3(3 kW LLC,效率 > 98%),在相同的转换系统尺寸中达到几??三倍的输出功率,换言之,可节省更多空间。CoolGaN e-mode HEMT 支援高频运行的应用,包括:企业与资料中心伺服器、电信整流器、适配器、充电器和无线充电设施等。

關鍵字: SiC  Infineon 
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