账号:
密码:
最新动态
产业快讯
CTIMES/SmartAuto / 新闻 /
工研院RRAM研发成果获国际电子组件研讨会肯定
 

【CTIMES / SMARTAUTO ABC_1 报导】    2008年09月22日 星期一

浏览人次:【2873】

工研院研发的电阻式非挥发性内存(Resistive Random Access Memory, RRAM)的研发成果,获选在2008国际电子组件会议(International Electron Devices Meeting, IEDM),向全球电机电子研发菁英发布最新技术进展。

RRAM具有下世代非挥发性内存的潜力而备受业界关注,预计在未来有机会取代闪存(Flash)及DRAM。工研院电光所自2006年开始进行RRAM研发,此次发表的RRAM研发进展包括:操作功率远低于目前已发表的RRAM,最低可达23奈安培的电流及1.5V的低电压特性;操作时间也极为快速,可达10奈秒以下,媲美DRAM操作速度;具有5个电阻态,可进行多阶操作;读写次数可达106次;以及在200℃的温度下,数据可储存10年以上之优异特点。此外,还具有运用与业界高兼容性的高介电常数材料(high-K)及金属及制程结构简单之特点,突破现今运用铂等贵金属材料及复杂制程的RRAM,能快速实现RRAM移转业界进行量产之可能性。

關鍵字: RRAM  工研院  存储元件 
相关新闻
高效能磁浮离心冰水机降低温室效应 工研院助大厂空调节电60%
HLF高峰会首次移师新竹工研院 吸引全球10大创新生态系代表齐聚台湾
智慧校园 ICT+AI 把关 7-11未来超商X-STORE 8启动
工研院携手聚贤研发 开拓农业伴生创电新模式
海委会携手海废标竿企业赴日共创循环经济新契机
comments powered by Disqus
相关讨论
  相关文章
» 眺??2025智慧机械发展
» 台湾2035年十大跨域趋势重点及产业
» 迎接Chiplet模组化生态 台湾可走虚拟IDM模式
» 可视化解痛点让数位转型有感
» 让电动车的齿轮瑕疵无所遁形


刊登廣告 新聞信箱 读者信箱 著作權聲明 隱私權聲明 本站介紹

Copyright ©1999-2024 远播信息股份有限公司版权所有 Powered by O3  v3.20.1.HK8BT5SA0KCSTACUKK
地址:台北数位产业园区(digiBlock Taipei) 103台北市大同区承德路三段287-2号A栋204室
电话 (02)2585-5526 #0 转接至总机 /  E-Mail: webmaster@ctimes.com.tw