无线通信应用領域专用射频积体电路(RFIC)供货商RF Micro Devices, Inc.，近日宣布一项达8千万美元之晶圆设备扩充计划。此扩充位于该公司的Greensboro园区，预计将增加RFMD的晶圆制造产能最可高达40%–使得应用RFMD領导市场的GaAs HBT及GaAs pHEMT制程技术之无线市场能持续健全成长。此扩充预期亦将降低RFMD的每晶圆成本，并提供可供应产能以提升GaAs pHEMT的内部生产–其为该公司市场領导传输模块的关键致能科技。

RFMD总裁暨执行长Bob Bruggeworth表示：「RFMD目前正进行此策略性的投资以利用全球对于GaAs技术快速成长的需求。我们是手机传输模块的領导厂商，并由兩个最大客户之出货而驱动着，我们预期我们的領导性将于今年更提升，因为我们为客户增加了新产品，而我们在传输模块的成长，可部份归因于针对GPRS及EDGE手机之RFMD POLARIS 2 TOTAL RADIO模块解决方案的成长需求。「我们同样也是WCDMA功率放大器的領导者，并预期WCDMA将成为全球成长最快的空中接口标准。WCDMA手机具备多重功率放大器，其同样促使全球对于GaAs的成长需求。最后，我们WLAN功率放大器的出货以及前端模块皆持续成长，而我们预期802.11n–其运用多重输入与多重输出(multiple input multiple output ,MIMO)之技术–将成为GaAs需求的主要驱动因素，因其已被建立为笔记本电脑及手机之标准及加值功能。」