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PowerMOS展现高效能半导体价值主张
 

【CTIMES / SMARTAUTO ABC_1 报导】    2011年07月26日 星期二

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恩智浦半导体(NXP Semiconductors N.V.;NASDAQ:NXPI)宣布其采用LFPAK封装的NextPower系列25V和30V MOSFET将增添15款新产品并已开始供货。这些恩智浦功率MOSFET家族的最新成员在六个关键参数方面达到最佳平衡点,并具备业界最低的RDS(on),是高性能、高可靠性开关应用的理想首选。

恩智浦标准产品部全球营销副总裁Simon McLean说,让不同的产品应用市场都能享有相同的高效能半导体解决方案,正是恩智浦发展PowerMOS的价值主张。
恩智浦标准产品部全球营销副总裁Simon McLean说,让不同的产品应用市场都能享有相同的高效能半导体解决方案,正是恩智浦发展PowerMOS的价值主张。

恩智浦标准产品部全球营销副总裁Simon McLean指出,传统方法主要着眼于降低RDS(on)和Qg,而恩智浦NextPower则采用超级接面技术,使得低RDS(on)、低Qoss、低Qg(tot)与Qgd之间的平衡达到优化,进而提升开关性能,减少漏极输出与源极引脚之间的损耗,同时提高SOA性能。此外,恩智浦LFPAK为坚固的Power-SO8封装,尺寸精巧,面积仅5mmx6mm,可在恶劣环境下提供出色的功率开关功能。

Simon说,恩智浦的PowerMOS重点应用市场,除了目前已经拥有技术优势的车用市场之外,并进而将车用半导体的质量推向其他应用领域,包括PC市场最大宗的桌上型、笔记型与平板计算机,以及通讯市场的无线基地台,和电源供应器等市场上。让不同的产品应用市场都能享有相同的高效能半导体解决方案,提供良好封装、高效能技术、高质量产品,并协助客户获取更高价值,正是恩智浦发展PowerMOS的价值主张。

關鍵字: PowerMOS  NXP 
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