开放式NAND闪存接口（ONFI）工作小组今日（2/11）发布了ONFI 2.1版技术规范。ONFI 2.1版本除具备更简化的闪存控制器设计，并将传输性能提升至每秒166MB/s到200MB/s间。目前ONFI工作组已着手制订ONFI 3.0版，预计速度将可达400MB/s。

ONFI小组专门致力于简化NAND闪存的设计，并制定相关规格，使之与消费电子设备、计算机平台及工业系统充分整合，该小组在2006年成立，成员包含Intel、美光、意法半导体、海力士半导体和Sony等30多家公司。该小组在过去六个月间，与美国电子组件工程联合委员会（The Joint Electron Device Engineering Councils，JEDEC）进行密切的合作，并已将ONFI 2.1版规范提交给该联合工作组，未来双方也将继续合作。

此新版的标准还特别针对了netbook等低成本消费品的应用需求做了调整，加入了一项新的Small Data Move指令。透过Small Data Move指令的应用，这些低成本内存架构将不再受昂贵的侦错功能所限制。对于改进这些产品的销售将有决定性的影响。

此外，ONFI 2.1版规范的特色还包含

• 与ONFI 2.0、ONFI 1.0以及老式NAND接口兼容。
• 新增对交错读取的支持，能延展读取的管道，尤其是在数组时间可能更长的多层单元（MLC）架构中。
• 支持NAND设备扩展侦错码信息，同时传送多组侦错码参数。
• 允许HOST向NAND写入数据时停止clock，最高可节省数十毫瓦的电量。
• 新推出的Change Row Address指令。