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三星称芯片储存技术获重大突破
 

【CTIMES / SMARTAUTO ABC_1 报导】    2004年09月20日 星期一

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三星电子宣称,在手机和计算机储存技术方面取得突破性的进展。这一技术能够使储存容量更大,指令周期更快。该公司表示其研制出业界第一个用于储存数据的60奈米NAND闪存芯片。该容量高达8G的NAND芯片,可以储存约16小时的DVD或是4000首MP3歌曲。

该公司在新闻发表会上表示,成功地实现了下一代60奈米技术,这也是业界的首次突破。新的NAND闪存芯片将能满足手机的不同需求。过去,三星电子的NAND技术在市场上取得不俗的业绩。2001年销售额为4亿美元,2003年达到21亿美元。

今年,三星期望NAND业务的销售额能达到双位数的成长,占领全球65%的市场占有率。Samsung表示,明年第一季推出4G NAND芯片,晚些时候投产8G NAND芯片的生产。

三星取得的第二个突破是开发出世界第一个2G的DDR2 SDRAM 80奈米微处理技术。三星指出,这种高密度、双面储存的DDR2芯片,将增强服务器和工作站的性能,广泛应用于包括视频会议、远程医疗服务、双向交流以及3D影像技术等领域。一般认为,这种高储存技术只能在65奈米以下芯片中使用。

市场分析机构Gartner Dataquest预测,到2005年底,DDR2技术的市场占有率将从现在的11%提高到50%,DDR2将成为DRAM产品的主流。三星还计划,在2005年下半年大量生产80奈米2G DDR2 SDRAM芯片。同时,该公司还将研发世界上最快的、用于3D动画处理的667MBHz处理器。

關鍵字: NAND闪存  三星  闪存 
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