海力士半导体位于韩国清州市、支持300mm（12吋）晶圆的新制造生产线M11落成，海力士并邀请当地政府官员等举行完工典礼。

据了解，M11将采用40nm制程，用于生产16Gbit及32Gbit等高密度NAND闪存。目前预定将在2008年9月开始投产，初期月产量约4万片，未来将根据市场需求增加产量，最高将达每月20万片。

M11为海力士清州厂的第三生产线，海力士指出，新生产线的优势在于可利用现有厂房设备及人员。目前海力士正整合全球的200mm晶圆厂，清州厂的生产线也将成为整合对象。海力士希望以M11的完工为起点，将清州厂建成全球第一大NAND闪存厂。