账号:
密码:
最新动态
 
产业快讯
CTIMES/SmartAuto / 新闻 /
美ITC初步判决南韩DRAM输美确危害当地产业
 

【CTIMES / SMARTAUTO ABC_1 报导】    2002年12月16日 星期一

浏览人次:【3562】

据外电报导,美国国际贸易委员会(International Trade Commission;ITC)日前针对南韩半导体业者Hynix与Samsung,将DRAM产品输入美国销售、是否危害到美国当地市场公平竞争一案做成初步判决。 ITC初步认定自南韩输美的DRAM产品,确实对当地产业造成伤害。

据ITC网站新闻稿,ITC之决议是由ITC主席、副主席与两位委员共同发布,而美国商业部(Department of Commerce)将继续对此案进行调查,并将结果送交ITC作最终判决,以确认未来是否将对南韩DRAM产品课征反倾销税。而当初此案的「原告」美光科技(Micron Technology),在得知ITC初步判决结果后,透过该公司发言人表示,该判决显示美国不会容忍不公平的贸易现象。

Hynix在初步判决结果出炉后发布声明稿指出,Hynix相信ITC一旦查清所有相关事证,最终判决将会显示南韩DRAM产品并未对美国市场造成伤害;Samsung则再度声明,并未做出任何违法之事。

南韩政府则表示,该初步判决结果不会对南韩DRAM输美造成立即影响,就算最后美方还是要对南韩DRAM产品课征反倾销税,也将是2003年5月之后。

關鍵字: ITC  Hynix  Samsung  Micron  动态随机存取内存 
相关新闻
Crucial扩展DDR5 Pro电竞记忆体产品组合 为游戏玩家提供更快速度
美光超高速时脉驱动器DDR5记忆体产品组合 可助新一波AI PC发展浪潮
美光宣布量产第九代NAND快闪记忆体技术
美光发布2024年永续经营报告 强化发展永续经营和先进技术
电音趴人数破天荒!千万人「嗨」出游戏未来
comments powered by Disqus
相关讨论
  相关文章
» 未来无所不在的AI架构导向边缘和云端 逐步走向统一与可扩展
» 延续后段制程微缩 先进导线采用石墨烯与金属的异质结构
» 提升供应链弹性管理 应对突发事件的挑战和冲击
» 专利辩论
» 碳化矽基板及磊晶成长领域 环球晶布局掌握关键技术


刊登廣告 新聞信箱 读者信箱 著作權聲明 隱私權聲明 本站介紹

Copyright ©1999-2024 远播信息股份有限公司版权所有 Powered by O3  v3.20.1.HK8BAAII7CKSTACUKE
地址:台北数位产业园区(digiBlock Taipei) 103台北市大同区承德路三段287-2号A栋204室
电话 (02)2585-5526 #0 转接至总机 /  E-Mail: webmaster@ctimes.com.tw