账号:
密码:
最新动态
产业快讯
CTIMES/SmartAuto / 新闻 /
ST MDmesh V MOSFET 为终端产品带来节能优势
 

【CTIMES / SMARTAUTO ABC_1 报导】    2009年02月23日 星期一

浏览人次:【2860】

意法半导体(ST)宣布在功率MOSFET芯片的性能方面取得巨大突破,MDmesh V使得ST新一代的650V MOSFET,采用紧凑型功率封装,可将RDS(ON)降到0.079Ω以下。这些产品的应用是锁定以小尺寸和低能耗为诉求的功率转换系统。

ST MDmesh V MOSFET
ST MDmesh V MOSFET

33A的STP42N65M5是ST首款的MDmesh V产品,采用TO-220封装,额定导通电阻为0.079Ω。STx42N65M5全系列产品还提供其它的封装选择,包括表面贴装D2PAK以及TO-220FP、I2PAK和TO-247 等封装。目前已量产的STx16N65M5系列也是650V产品,额定RDS(ON)为0.299Ω,额定电流为12A。ST的MDmesh V 650V MOSFET产品蓝图还包括电流更大的产品,RDS(ON)低至0.022Ω的Max247封装及0.038Ω的TO-247封装。 这些产品预计在2009年3月上市。

MDmesh V为ST已成功的Multi-Drain Mesh技术的最新产品,透过改进晶体管的漏极架构,降低漏极源电压降,在单位面积导通电阻RDS(ON)上表现优异。此项优点可降低这款产品的on-state损耗,同时还能保持很低的闸极电荷量(Qg),在高速转换实现优异的效能,提供低‘RDS(ON) x Qg’的灵敏值(Figure of Merit,FOM)。新产品650V的击穿电压高于其他竞争者的600V产品,为研发工程师提供了一个十分宝贵的安全裕度(safety margin)。ST的MDmesh V MOSFET的另一项优点是关断波形更加平滑,因为降低的EMI,使得闸极控制更加容易,且滤波设计更加简单。

MDmesh V MOSFET的节能优势和高功率密度将会为终端产品的节能带来实质性提升,如︰笔记本计算机的电源转换器、液晶显示器及电视机、灯光稳压器、电信设备、太阳能转换器以及其它需要高压功率因子校正或转换模式的功率转换等应用设备。

關鍵字: MOSFET芯片  ST 
相关新闻
意法半导体揭露未来财务新模型及规划实践2030年目标
ST推广智慧感测器与碳化矽发展 强化於AI与能源应用价值
ST:AI两大挑战在於耗能及部署便利性 两者直接影响AI普及速度
意法半导体公布第三季财报 工业市场持续疲软影响销售预期
意法半导体STM32C0系列高效能微控制器性能大幅提升
comments powered by Disqus
相关讨论
  相关文章
» SiC MOSFET:意法半导体克服产业挑战的颠覆性技术
» 超越MEMS迎接真正挑战 意法半导体的边缘AI永续发展策略
» Crank Storyboard:跨越微控制器与微处理器的桥梁
» 嵌入式系统的创新:RTOS与MCU的协同运作
» STM32MP25系列MPU加速边缘AI应用发展 开启嵌入式智慧新时代


刊登廣告 新聞信箱 读者信箱 著作權聲明 隱私權聲明 本站介紹

Copyright ©1999-2024 远播信息股份有限公司版权所有 Powered by O3  v3.20.1.HK8C56V5MVASTACUKZ
地址:台北数位产业园区(digiBlock Taipei) 103台北市大同区承德路三段287-2号A栋204室
电话 (02)2585-5526 #0 转接至总机 /  E-Mail: webmaster@ctimes.com.tw