德州仪器（TI）针对高电流DC/DC应用，推出业界第一个透过封装顶部散热的标准尺寸功率 MOSFET 产品系列。DualCool NexFET功率MOSFET有助于缩小终端设备的尺寸，同时还可将通过MOSFET的电流提高50％。目前基础设备市场对处理功率，客户要求以更小的封装实现具有更高电流的DC/DC电源。DualCool NexFET功率MOSFET在不改变尺寸的同时能处理更多电流，可充分满足客户需求。

TI亚洲市场开发电源产品协理罗伟指出，大电流与小体积将是MOSFET发展的终极趋势。

TI亚洲市场开发电源产品协理罗伟指出，TI的MOSFET技术，来自于Ciclon。Ciclon是2004年在美国宾州成立的私人公司，前身是贝尔实验室的技术，专精于MOSFET技术，并于2009年由TI完全并购。TI在并购Ciclon之后，该部门将专注发展高效、节能的MOSFET。罗伟强调说，目前TI已拥有PWM Controller以及Gate Driver等技术，唯独就缺少MOSFET这一块技术。而并购了Ciclon的最大意义，在于TI终于可以完整提供在Power领域的所有相关解决方案。在购入MOSFET的相关技术后，未来TI也将依据客户需求，整合出不同功能的产品，以满足市场所需。

罗伟也解释，第一代的MOSFET又叫做Planer，裸晶通常较大，而MOSFET最重要的电阻RDS(ON)在开关打开时，电阻值越低越好，然而在降低内阻的同时，充电的电容又不能太大，否则太过耗电。也因此会出现电阻小、电容又要小的设计上矛盾。到了第二代的MOSFET，也就是目前多数厂商所使用的Trench（沟槽式），其电阻小，但电容却相对变大了，现在TI的NexFET技术就在克服这样的问题，也就是能同时提供更小的电阻与电容，如此在电源转换的充电与放电之间，电源的损耗就能大幅减少，进而提高效率。这也是目前TI与竞争对手间存在的最大技术差异。一般来说，要降低电阻是比较容易的，但要降低电容值便有一定的技术门坎存在，这部分在TI并购了Ciclon之后，便具有了业界的领先优势。

罗伟最后指出，DualCool是封装技术的改进，裸晶的部分没有多大差异，而是透过封装的改变，来满足客户对于电流提升以及功率的要求。这是TI跨入MOSFET领域的第一个产品，未来将朝向更小的封装体积发展，毕竟要让芯片体积更小，却同时要承载更大的电流量，在设计上将是很大的挑战，同时还有散热方面的问题需要克服，但这却是未来发展的趋势，也是所有设计商必须要走的路。而未来TI也将致力于提供更稳定的产品，供客户使用于其系统之中。