快捷半导体(Fairchild Semiconductor)推出全新1200V，Field Stop Trench IGBT系列组件FGA20N120FTD和FGA15N120FTD，为电磁感应加热应用的系统设计人员提供了高效的解决方案。这些IGBT同时采用Field Stop(场终止层)结构和抗雪崩的Trench gate(沟道闸)技术，可在开关导通损耗和切换损耗之间提供最佳权衡，进而获得最高的效率。相比传统的NPT-Trench IGBT器件，FGA20N120FTD可减小25％的开关导通损耗、8％的切换损耗，并大幅降低系统工作温度。由于冷却要求降低，系统可靠性得以增强，系统总成本减小。这些器件还内置了专为零电压开关(ZVS) 技术而优化的快速恢复二极管(FRD)，进一步提高了可靠性。

快捷半导体的FGA20N120FTD和FGA15N120FTD采用了严格的参数分布，可耐受更大的雪崩能量，能够最大限度地减少雪崩工作模式下的性能变化和器件故障情况。这正是利用快捷半导体创新的Field Stop结构和专有的先进Trench gate单元设计的成果。