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联电领先全球推出0.13微米铜制程技术
 

【CTIMES / SMARTAUTO ABC_1 报导】    2000年11月29日 星期三

浏览人次:【2634】

今年一月份甫与IBM及Infineon签约合作发展○.一三微米铜制程技术的联电,昨日展现初步成果,已开始与五家客户进行八层铜、一层多晶矽的制程技术验证,同时搭配了低介电系数材料SiLK。目前三家公司同时开始采用此项○.一三微米铜制程技术,也是世界各半导体的铜制程竞赛中,推出的最先进技术。

联电目前在验证中的○.一三微米铜制程产品种类相当多样化,包括逻辑产品、混合式讯号处理、MPU等。联电第用于 ○.一三微米铜制程研发线的晶圆厂为八厂,而未来用于量产○.一三铜制程的晶圆厂第一期将为八D厂,待第二期时八F及十二A厂都会设置铜制程生产线。

關鍵字: IBM  Infineon  联电 
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