据工商时报报导，DRAM价格受Hynix被欧盟及美国商务部建议课征高额惩罚性关税，以及DRAM厂囤积存货等因素影响，而在两日内出现涨价逾15％的情况，256MbDDR现货的平均价格已达到3.6美元的水准。集邦科技表示，由模组厂四月份出货量因淡季效应开始衰退，IC通路商也没有提高DRAM库存水位动作的现况判断，此波价格上涨并非由于终端市场需求复苏，应是以人为操作因素为主。

该报导指出，Hynix为规避美、欧即将课征的高额惩罚性关税，而赶在上周将DRAM产出大量移两地，使亚太地区DRAM市场出现供给短缺现象，加上月初DRAM厂没有大量出货压力，且由于DRAM价格低于5美元的平均单位总成本，让各家业产生锁货囤积默契，因此亚太地区DRAM价格出现止跌反弹现象，并在两天之内出现逾15％的飙涨。根据集邦科技报价，256Mb DDR平均现货价为3.6美元，256Mb SDRAM现货均价则涨至4美元，其中缺货十分严重的128Mb SDRAM，现货价更飙涨逾9％达3.67美元，超过了256Mb DDR价格。

但DRAM价格上扬并未伴随终端市场需求回升的情况，因为主机板业者四月份出货量预估将下滑，模组厂也认为四月份DRAM模组出货量将小幅衰退，同时，如奇普仕、品佳、友尚等过去DRAM营收比重高达五成的IC通路商，也没有因为价格上扬，而有提高DRAM库存水位的动作。

集邦科技表示，模组厂与通路商在此次DRAM价格大幅扬升过程中，并没有提高DRAM出货量或库存的动作出现，显示其对DRAM市场看法仍然十分保守，因此此波DRAM价格快速上涨，应是DRAM厂人为操作锁货拉抬所导致。