闪存(Flash)是计算机及电子产品中常用的内存，相较于DRAM，它具有快速记忆数据的特性，切断电源后仍将继续保存数据。不过，经过约1万次抹写循环后，Flash内存的可靠性将大幅降低，日前旺宏电子对此限制有了重大突破，该公司研究人员发现可透过加热修复内存，让它能完成1亿次抹写循环。

透过加热修复内存，Flash能完成1亿次抹写循环 BigPic:640x480

事实上，学界很早即提出高热有助于恢复耗损的老旧内存，但学界的作法是将闪存放在摄氏250度的炉子里数小时，这无法在现实的使用情境中实现。根据BCC的报导指出，旺宏采用的技术是加热器与闪存材料放在一起，此加热器可对小群的记忆单元加热，短暂将区域内的温度拉到摄氏800度，把受损区还原到正常状态。

旺宏电子研究员指出，重新设计过的芯片很安全，因为仅有非常小区域内的内存会受热且时间仅数毫秒，过程只会消耗少量电力，对行动装置的电池寿命没有太大影响。目前旺宏的新型内存芯片已展现1亿次读写循环的性能，但它的最大限度测试仍在测试中，因为测试数千万次读写就需要多周时间，数十亿次循环可能须耗时「数月」。

让Flash使用寿命提升千倍以上的技术，显然具有相当不错的市场卖点，不过，旺宏何时能将此技术推到市场，目前仍未透露。