EV Group（EVG）今日宣布推出NanoCleave技术，这是一种供矽晶圆使用的革命性薄膜释放技术，此技术使得先进逻辑、记忆体与功率元件的制作及半导体先进封装的前段处理制程，能使用超薄的薄膜堆叠。

EV Group的革命性NanoCleave薄膜释放技术使用红外线（IR）雷射，可穿透矽晶圆和无机层释放材质，能在奈米级精度下利用IR雷射，从矽载具释放任何超薄的薄膜。

NanoCleave是一种完全与前段相容的薄膜释放技术，特色是使用红外线（IR）雷射，可穿透对IR雷射波长呈透明状态的矽晶圆。该项技术搭配使用特殊配方的无机层，能在奈米级精度下利用IR雷射，从矽载具释放任何超薄的薄膜。

因此，NanoCleave技术使得先进封装制程，例如使用铸模与重新建构晶圆的扇出型晶圆级封装（FoWLP）以及供3D堆叠IC（3D SIC）使用的中介层等都能使用矽?圆载具。

同时，此技术与高温制程的相容性，亦为3D IC及3D序列整合的应用提供全新的制程流程，甚至可与矽载具上超薄的薄膜完成混合接合与熔融接合，因而为次世代微缩化电晶体设计的3D与异质整合及材料转移带来革命性的进展。

3D整合中供薄型晶圆处理使用的载具技术，对於促成互连频宽日渐提升的较高效能系统相当关键。对於透过与有机黏合剂的暂时接合来打造元件层，玻璃载具已成为一种被广纳的既定方法。该方法使用紫外线（UV）波长的雷射溶解黏合剂并释放已与最终的晶圆产品永久接合的元件层。

然而，半导体晶圆制造设备是为矽晶圆而设计，因此用来处理玻璃基板相当困难，且升级也将所费不赀。此外，有机黏合剂的温度通常限制在300度以下进行处理，这限制了在後段处理的用途。

利用无机释放层使用矽载具，就得以避开这些温度与玻璃载具间的相容性问题。此外，以奈米级精度的IR雷射启动剥离技术，就有可能实现在不改变原有的制程下同时处理极薄元件的晶圆。此类薄型元件层後续的堆叠能带来更高的频宽互连，并为次世代高效能系统的晶粒设计与切割开启各种全新契机。

同时，3奈米节点以下的电晶体发展路线图，需要像埋入式电源轨、晶背电源供应网路、互补式场效电晶体（CFET），甚至2D原子级通道等全新的架构与设计创新，这所有技术都需要极薄材料的薄膜转移。

矽载具与无机的释放层，可支援前段制程流程在制程洁净度、材料相容性与高处理温度方面的需求。然而，迄今为止仍得仰赖研磨、抛光与蚀刻等程序来完全移除矽载具，这会对工作元件层的整个表面产生细微范围内的变异，使得这种方法不适合用在先进节点的薄膜堆叠。

EVG全新的NanoCleave技术使用IR雷射与无机的释放材料，以奈米级精度在矽晶圆上促成雷射剥离。NanoCleave技术让先进封装不再需要使用到玻璃基板、避开温度与玻璃载具间的相容性问题，并在不改变工艺记录的前题下，透过载具为前段处理转移超薄型（单微米和更低）薄膜。

EVG全新制程的奈米级精度，支援先进半导体元件的发展路线图，而这些路线图需要更薄的元件层与封装、更高的异质整合度，以及透过薄膜转移与摒弃使用玻璃基板来降低处理成本。

EV Group技术执行总监Paul Lindner表示：「由於制程公差的容许值越来越严格，要达成半导体微缩的复杂度与难度亦随之提升。产业需要全新的制程与整合方式，以达到更高的整合密度与元件效能。我们的NanoCleave薄膜释放技术透过薄膜与晶粒堆叠，可以彻底改变半导体微缩的态势，并且深具满足产业迫切需求的潜力。NanoCleave技术让我们的客户透过具备多种用途且通用的薄膜释放技术，实现先进元件与封装的发展蓝图。此技术可用於标准的矽晶圆与晶圆制程，让半导体制造厂做到无缝整合，并为客户节省时间与金钱。」

使用EVG的NanoCleave技术时，矽晶圆的背面会曝露在IR雷射下，IR雷射的独特波长让矽晶圆处於透明状态。利用标准沉积制程预先建构至矽晶圆堆叠的无机释放层可以吸收IR，让矽晶圆上预先设定且精确定义的薄膜或区域产生剥离。

使用无机的释放层，可以使用更精准且更薄的释放层（范围在几奈米以内，反观有机黏合剂则达数微米）。此外，无机的释放层相容於高温处理（最高达摄氏1,000度），可以为无法相容於有机旒合剂的许多崭新前段应用促成薄膜转移，如磊晶、沉积与退火等。