随着半导体技术迈向 2nm 及以下的节点，制程技术的每一步都成为推动摩尔定律延续的重要基石。在这其中，乾式光阻（dry resist）技术的出现，为解决极紫外光（EUV）微影制程中的解析度与良率挑战提供了突破性解决方案。

科林研发（Lam Research）近期在其乾式光阻技术发展方面有所突破，可直接实现 28 奈米间距的高解析度图案化，适用於後段（BEOL）逻辑制程，并已通过全球知名研究机构 imec 的认证。这项创新技术不仅提高了 EUV 微影的解析度，同时在降低缺陷率与提升生产良率方面，也取得了同级产品中领先的成果。

乾式光阻技术采用独特的材料与工艺设计，大幅改善了 EUV 曝光过程中剂量与缺陷率之间的权衡，从而优化了图案化效果。这种能力对於晶片制造商缩小电晶体特徵尺寸、实现更高性能元件设计至关重要。

传统湿式光阻制程在微缩过程中面临材料使用量大、缺陷率高等挑战，而乾式光阻技术凭藉材料消耗量减少 5 到 10 倍，能源使用显着降低的特性，提供了兼具效能与永续性的解决方案。此外，科林研发的乾式光阻技术已被证明可与低数值孔径（Low NA）及高数值孔径（High NA）的 EUV 设备无缝整合，展现出广泛的应用潜力。

在 imec 的联合研发平台上，这项技术已成功实现优异的低缺陷率与高保真度，并显示出在更高解析度及生产效率上的价值。imec 制程技术??总裁 Steven Scheer 表示，乾式光阻技术的进步不仅让制造成本更加具竞争力，也为晶圆厂与整合元件制造商提供了早期采用创新技术的机会，加速其制造进程。