账号:
密码:
最新动态
产业快讯
CTIMES/SmartAuto / 新闻 /
为提升获利 DRAM厂纷导入70奈米制程
 

【CTIMES / SMARTAUTO ABC_1 报导】    2007年11月12日 星期一

浏览人次:【1778】

DRAM以70奈米制程生产时,测试时间将增加40%。据了解,512Mb的DDR2毛利下跌,因此DRAM厂商为了降低生产成本,纷纷将制程导入70奈米,而产品线也开始转向生产价格较高的1Gb DDR2。然而由于70奈米的1Gb DDR2所需测试时间约450~550秒,比起目前90奈米的512Mb DDR2测试需多出40%,接着出现的问题,将是台湾内存封测厂商面临测试产能不足的问题。

DRAM厂商在12吋厂的产能不断开出之际,由于供过于求,因此512Mb的DDR2价格下跌。DRAM厂商为了降低亏损,解决之道在于加速导入70奈米制程,并将产品线导入1Gb的高容量DRAM市场,以求提高获利。

而DRAM厂做出这样的决定之后,对于后段封测厂则是个好消息。因为DRAM厂为了确保新产品的良率与质量,以70奈米制程所生产的1Gb DDR2内存测试时间约需要450~550秒,大约增加了40%的时间,这对于封测厂的营收及毛利都将有不错的帮助。

關鍵字: DRAM  动态随机存取内存 
相关新闻
Crucial扩展DDR5 Pro电竞记忆体产品组合 为游戏玩家提供更快速度
美光超高速时脉驱动器DDR5记忆体产品组合 可助新一波AI PC发展浪潮
美光32Gb伺服器DRAM通过验证并出货 满足生成式AI应用要求
台湾美光台中四厂正式落成启用 将量产HBM3E及其他产品
美光发布记忆体扩充模组 加速CXL 2.0应用
comments powered by Disqus
相关讨论
  相关文章
» 未来无所不在的AI架构导向边缘和云端 逐步走向统一与可扩展
» 延续后段制程微缩 先进导线采用石墨烯与金属的异质结构
» 提升供应链弹性管理 应对突发事件的挑战和冲击
» 专利辩论
» 碳化矽基板及磊晶成长领域 环球晶布局掌握关键技术


刊登廣告 新聞信箱 读者信箱 著作權聲明 隱私權聲明 本站介紹

Copyright ©1999-2024 远播信息股份有限公司版权所有 Powered by O3  v3.20.1.HK8C37N5GJKSTACUKX
地址:台北数位产业园区(digiBlock Taipei) 103台北市大同区承德路三段287-2号A栋204室
电话 (02)2585-5526 #0 转接至总机 /  E-Mail: webmaster@ctimes.com.tw