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中芯以DRAM填补产能空缺 为市场投入价格变量
 

【CTIMES / SMARTAUTO ABC_1 报导】    2005年08月01日 星期一

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中芯国际公布第二季财报,由于中芯于第二季扩大上海八吋厂及北京十二吋厂的DRAM投片,虽受到DRAM第二季价格大跌影响,让其第二季晶圆平均出货价格跌至807美元,毛利率也跌至2.3%,但是中芯的产能利用率还维持在87%。中芯利用DRAM填补产能空缺策略,虽然能让其保持高产能利用率,但这种捉摸不定的内存投片量,却成为内存市场价格波动的一大变量。

由于台积电、联电无法放手在大陆建厂,中芯便利用此一空窗期,倾全力布建大陆生产基地,目前中芯上海三座八吋厂、天津一座八吋厂、北京一座十二吋厂均以量产,第二季总产能约相当于33万片八吋晶圆,较上一季度成长16%。只是上半年正值全球半导体市场景气衰退期,为了填补不断扩大的产能,能够拿到市场直接出售的DRAM,成为中芯填补产能最佳利器。

中芯第二季DRAM产出占总产能比重达36.5%,等于中芯每个月DRAM投片量约达4万210片八吋晶圆,虽然看起来,这个产出对全球DRAM供需不会造成太大的影响,但是对现货市场来说,中芯产出除了代工部份交货予英飞凌、尔必达等合作伙伴外,其余都以次级品(downgrade)或有效测试(eTT)为名,低价在市场上出清,这由中芯第二季平均接单价下跌至807美元就可看出。所以说中芯对DRAM市场没有影响性,还真是说不过去。

再者,由于内存及逻辑制程大部份产品线无法直接进行转移,中芯上半年受到景气不佳影响,逻辑产能利用率不高,所以日前宣布技转以色列商Saifun的非挥发性内存NROM逻辑组件技术,用来生产闪存,中芯还明确表示,在景气不佳时,可以拿来填补逻辑制程产能。所以,中芯未来除了卡位DRAM市场外,还会进入NOR及NAND闪存市场。

由于DRAM、闪存等,都是可在市场上直接出售换回现金流的产品,因此中芯虽说下半年景气回升,将降低内存产出比重,但是这并不代表中芯在内存市场上「价格杀手」角色有所改变。所以中芯只要持续在内存市场中冲刺产能,DRAM、闪存的现货价波动情况,就会让国内DRAM厂无法有效控制,好不容易回复市场供需平衡的情况,也可能因此被打破,这也难怪国内DRAM业者不时就会提及,中芯真是DRAM市场中最可怕的不定时炸弹。

關鍵字: DRAM  中芯 
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