十月上旬一二八Mb动态随机存取内存(DRAM)现货价跌破一美元，虽然国内外各DRAM厂仍持续量产出货，但为避免亏损亦字扩大，业者也开始调整产能分配，开始加大价格较佳的二五六Mb DRAM的出货量；加上通路商甚至预期会跌破1美元，此价位将扩大DRAM厂亏损，国内业者不得不转型。

根据集邦科技(DRAMeXchange)报价，二五六Mb DRAM平均现货价已在上周跌至一二八Mb DRAM的二倍价位，业者遂指出，根据以往DRAM市场经验法则，当新一代DRAM产品价格是目前主流产品的二倍时，代表了DRAM市场已开始进入产品世代交替期，主要DRAM厂将会开始减少主流产品的投片量，并拨出产能生产新一代产品，亦即全球二五六Mb DRAM的产量将自第四季开始进入主成长期。

业者也表示，在八吋厂中以○．一七微米制程量产一二八Mb DRAM，每颗固定成本约在○．八美元至一．三美元之间，若再加上约○．四美元的封装测试成本，一颗一二八MbDRAM的制造成本至少也需一．二美元，因此当现货价跌破一美元时，业者已是进入现金净流出状态，的确也到了转向生产新一代产品的时间点。

茂硅已准备将多余的6吋厂产能转移冲刺附加价值的功率IC进军，近期将敲定与美商合资8,500万美元成立新合资公司的投资案。力晶也预定减少明年DRAM的投片量，腾出约30%的产能，承接利基型的低功率静态随机存取内存（Low Power SRAM）、嵌入式内存、闪存及部分通讯及消费用芯片，为此，力晶还特别从三菱移转0.18微米、0.14微米与0.12微米逻辑与嵌入式内存制程技术及硅智权(IP)，提升承接逻辑组件的制程技术。世界先进也决定提高代工比重。不过世界先进将以成为专业内存代工厂为方针。预期第四季导入的产品包括闪存、低功率静态随机存取内存等。

以国内主要DRAM厂来看，包括南亚科、力晶、华邦等业者，都有减少一二八Mb DRAM投片量的动作或计划。如南亚科已决定自十月份起将一二八Mb DRAM的产出调降一半，转进较有利可图的二五六Mb DRAM与倍速数据传输内存(DDR)；力晶、茂德的八吋厂则已开始减少一二八Mb DRAM投片量，调拨产能切入非DRAM产品市场，新规划的十二吋厂产能则锁定二五六Mb DRAM。