半导体设备大厂应用材料宣布推出应用于65奈米及以下制程的化学气相沉积（CVD）技术Producer HARP（high aspect ratio process；高纵深比填沟制程）系统；该系统技符合浅沟隔离层（Shallow Trench Isolation；STI）和前金属介质沉积（Pre-Metal Dielectric；PMD）等制程设备所需之大于7:1高纵深比的填沟技术条件，在沉积薄膜时能引发硅片上的应力变化，增强晶体管效能。

应材表示，HARP制程是架构在该公司已量产证明的Producer平台上；Producer是应材已在业界推出超过750套的CVD系统。藉由创新的臭氧-四乙氧基硅烷（ozone-TEOS）制程化学，并配合高效能的新式反应室设计，使这套系统的生产力明显优于传统填沟技术。

应材副总裁暨介电系统与模块产品事业群总经理Farhad Moghadam表示，这套HARP系统可应用在65至45奈米以下世代制程，相较于其他填沟系统可减少15％的营运成本和50％的耗材成本，而有别于传统技术的可调应力薄膜制程，能增强信道中的信号速度，改善晶体管的效能。

而因HARP系统是利用热制程来作业，所有硅组件并无任何电浆损害，进而能改善系统可靠度。对前金属介质沉积层而言，应用材料这套系统已展现其填沟技术实力，不但可用在小于10奈米技术，且热预算能适用于先进材料，包括硅化镍（NiSi）。