英飞凌科技股份有限公司於 2008 年开始量产第一个 Bulk-CMOS 射频 (RF) 开关。接着在 5G 时代的曙光中，英飞凌精良的产品组合与产品获得全球无线市场创新业者前所未有的欢迎。如今，英飞凌射频 Bulk-CMOS 开关的年产量远超过10亿，累积对客户的出货量已逾50亿组。

英飞凌於 2008 年开始量产第一个 Bulk-CMOS 射频 (RF) 开关。如今，英飞凌射频 Bulk-CMOS 开关的年产量远超过10亿，累积对客户的出货量已逾50亿组。

英飞凌射频系统部门??总裁暨总经理 Philipp von Schierstaedt 表示：「英飞凌凭藉其在半导体制造方面深获肯定的专业知识与传承，已成为所有OEM、ODM与晶片组经销商的首选合作夥伴。绝隹的市场接受度证明了我们对射频前端系统的洞察、技术实力、卓越的品质以及供应保证，这些正是英飞凌的生产策略。」

Bulk-CMOS 提供多项产品整合优势。自 1960 年代「固态」面市以来，射频开关的设计技术走向两大类：微机电开关 (MEMS) 和固态开关。MEMS 的低切换速度、薄弱的重复性及可靠性，使其无法成为 5G 应用的理想选择。

同时，科学上的努力让固态的发展有了多种技术选择。相较於砷化??与氮化??，以 Bulk-CMOS 为基础的电晶体－电晶体逻辑展现出最隹的整合能力，最终使空间受限的设计得以在印刷电路板上实现。不同於其他替代方案，Bulk-CMOS 不需要额外的氧化层，也无需在晶圆处理中使用不同的材料，这意味着直接的经济效益。

整体产业的步伐不断加快，5G 电信的出现也为 OEM 与 ODM 业者手中一系列的技术叁数带来令人雄心勃勃的挑战。英飞凌也将开发更多能支持射频工作者抱负的产品。

新一代 Bulk-CMOS 射频开关、新型天线抽换设备 BGSX22G5A10 与 BGSX33MA16 ，其样品已提供领先业界的电气性能。预计於2018年夏末开始量产，以确保持续供应射频开关。