全球先进半导体设备及制程技术供货商Aviza今日（11/13）在台表示，MRAM有希望从多家新一代非挥发性内存（Non-Volatile Memory;NVM）技术中脱颖而出，并取代目前主流的SRAM，成为终极的通用型内存解决方案。

Aviza物理气相沈积蚀刻化学气相沈积业务营销副总裁David Butler

有鉴于目前的Flash内存技术在耐用性与微型化的发展上困难重重，因此，多家业者早已着手研发新一代的NVM技术，包含相变内存(Phase-Change Memory;PCM)、FRAM与MRAM等，都是目前各家业者正积极研发的选项。其中MRAM在性能与市场接受度上都有较佳的表现，因此有可能成为未来市场的主流方案。

Aviza物理气相沈积蚀刻化学气相沈积业务营销副总裁David Butler表示，目前市面上的内存产品在漏电问题和可架构（scalable）的性能上都不足，因此，市场开始寻求另一种新架构的内存技术，而这种新内存必须要满足非挥发、读取速度快、容易架构、低功耗以及无限存取次数的需求。而MRAM正具备这些特色。他指出，MRAM不管是在读取速度、容量和耐用性上都非常突出，同时也具备了良好的设计弹性，很容易整合至CMOS的后端制程中。

Butler表示，由于MRAM具备非挥发的性能，很适合用作为必须依赖电池的SRAM的替代方案，包含手机、NB、DV、DSC、PDA等各式行动电子产品以及工业自动化产品，都有使用MRAM的空间。

Butler也指出，目前包含三星、海力士、新力、日立、瑞萨及NEC等多家主要的内存供货商，都已经具备MRAM的生产计划，其中Everspin更已经有少量的产品量产。而台湾的台积电和工研院也已展开合作，并开发出了65奈米的MRAM产品。Butler并引用瑞萨的预测，认为MRAM有可能在2015年的时候，取代目前的DRAM。

但Butler也提到，目前MRAM在价格上仍高于Flash近5倍，因此在取代上仍不容易。但未来只要投入的制造商增加，同时在材料与设备上也更加普及，未来MRAM在市场上的竞争力会更强。

而为了因应MRAM市场的需求，Aviza也推出全球第一款的12吋晶圆级离子束沉积系统「StrantIon fxP」。该系统能改善传统的磁性渐渡式的MRAM生产方式，大幅提高MRAM的性能。Butler表示，透过该系统的推出，将有助于业者增加MRAM的生产效能，并加速MRAM市场的成型。