英特尔运用65奈米(nm)制程技术生产70Mb静态随机存取内存(SRAM)芯片，内含超过5亿个晶体管。该产品延续英特尔每两年开发新制程技术的惯例，并符合摩尔定律的预测。新型65奈米制程技术所生产的晶体管内含的闸极(gates)仅有35奈米，较先前90奈米制程技术的闸极长度缩小达30%。100个新闸极接连排列的长度相当于一个人体红血球内的直径。

新制程技术可在芯片中嵌入更多的晶体管，奠定英特尔在未来推出多核心处理器的基础，并在未来的产品中设计各种新功能，其中包括虚拟化(virtualization)以及安全(security)功能。英特尔的新型65nm制程技术亦包括许多省电与效能提升功能。

英特尔资深副总裁暨技术与制造事业群总经理周尚林(Sunlin Chou)表示，英特尔针对各种新材料、制程以及组件架构进行创新研发，藉此克服缩小尺寸(scaling)所带来的各项挑战。英特尔的65奈米技术将依规划在2005年正式量产，延续摩尔定律带来的优势。英特尔于2003年11月宣布运用65奈米制程技术生产4Mb的SRAM。自此之后，该公司已在110 mm2的极小晶粒中生产全功能的70Mb SRAM。小型化的SRAM单元能在处理器中整合更大容量的高速缓存，进一步提升处理效能。每个SRAM内存单元都有6组晶体管，嵌入在0.57 µm2的空间中。1000万个这么小的晶体管，可挤在1平方毫米的空间中，其面积大约仅为一个原子笔的笔尖。

英特尔的应变型硅组件技术(strained silicon technology)首度应用在90奈米制程技术上，如今更针对65奈米技术进行改良。第二代英特尔应变型硅晶技术将晶体管效能提高10%至15%，且不会增加漏电率。与90奈米晶体管相较，这些晶体管将漏电率降低4倍，且维持相同的效能。因此，采用英特尔65奈米制程所生产的晶体管不仅提高效能，且不增加漏电率。

英特尔的65奈米晶体管将闸极长度缩小至35奈米，闸极氧化层的厚度仅1.2奈米，两者相结合后创造出更高的效能以及更低的闸极电容。而降低闸极电容有助于降低芯片耗电率。新制程亦整合8组铜金属互连层，并运用一种低介电系数材料(“low-k” dielectric material)，提高芯片内部讯号传输速度并降低芯片的耗电率。