美商超微半导体(AMD) 的研发人员日前在日本京都举行的积体电路研讨会上详细介绍多种目前最高效能的电晶体。由于电晶体是未来新一代微处理器设计的基础，因此电晶体的开关速度越快，为客户提供的解决方案效能也会越高。

在大会上介绍的其中一批电晶体采用全空乏绝缘矽(FDSOI) 技术，开关速度远比其他P 通道金氧半导体(PMOS) 电晶体高，即使与最近发表的电晶体比较，这批电晶体的开关速度也快30%。另一批在会上介绍的电晶体采用受压矽晶(Strained Silicon) 及金属闸门技术，这种N 通道金氧半导体(NMOS) 电晶体可以发挥比采用传统受压矽晶技术的电晶体高20-25% 的效能。

AMD 制程技术开发副总裁Craig Sander 表示:金属闸门、全空乏绝缘矽及受压矽晶等技术的成功开发显示AMD 一直致力研发重要的电晶体技术。 AMD 的实验证明新技术的效能有两位数字的提升，令我们改用65 奈米(nm) 以至更精密的制程技术时可以有更多的选择、更大的空间可以大幅提升电晶体的效能。 