随着智能手机及iPAD热潮兴起，小、快、轻、省电不仅是未来行动装置趋势，各家厂商也积极朝向「组件微小化」进行突破。工研院在成立40周年前夕，发表工研院杰出研究奖与推广服务奖共三项金牌技术。

工研院院长徐爵民表示，今年获奖技术分别是「3DIC三维芯片整合技术及推动」、「垂直式自旋磁性内存技术」及「超低电压/超低功耗系统芯片设计技术」，分别在半导体与信息科技领域上有突破性的重大发展，成功开发出更省能、更快速、体积小、效能高的技术产品，对于未来智能生活应用具有跳跃性的帮助。

工研院电光所所长刘军廷表示，今年荣获推广服务奖金牌奖「3DIC三维芯片整合技术及推动」，自五年前开始投入初期不仅历经2008年金融海啸危机，更大胆逆势扩大研发，奠定现今发展基础。也因透过电光与资通跨领域合作，整合IC设计与制程阶段，以盖高楼的概念将IC芯片作楼层式堆栈设计，在电子产品朝向轻薄短小、高效能发展的趋势下，创新研发出具备体积小、整合度高、耗电量低、成本低特性的立体堆栈芯片（3D IC）。

刘军廷指出，该研发团队在有限资源下，开发出「Backside Via-last」技术，将做完正面之IC制程之后，而从背面将晶圆磨薄之后进行背面的芯片穿孔制程，并连接至正面金属布线，解决晶圆正面进行芯片穿孔制程所可能产生的制程瓶颈，并减少制程成本。

其3DIC载具带宽效能因可达到业界标准的2.5倍，吸引英特尔投入，利用3DIC技术共同开发新世代内存，建立3DIC产品及拓展应用市场。此外，为推动相关技术应用，更成立「先进堆栈系统与应用研发联盟（Ad-STAC）」以建立上中下游相关产业之合作关系，串连国际设备厂商、材料厂商及国内厂商，持续推动设备及材料国产化，让台湾有机会与国际竞争，创造产业下一波竞争优势。

内存产业目前虽面临艰困挑战，但内存是3C产品的关键技术之一，对台湾居大宗的ICT产业未来发展更重要，工研院IEK预估内存产业在历经整并重组后，2015年供需进入较为稳定阶段，业界将会开始大量投资新世代内存。

刘军廷表示，获杰出研究金牌奖的「垂直式自旋磁性内存技术」成功解决「组件变小时容易导致内存失效」的技术瓶颈，具有非挥发性、读写速度快、无限次读写、低耗能等优点，是工研院为台湾ICT产业在内存技术保留的火种之一，将协助业界在

2015年新世代内存新一轮竞赛时有创新竞争利基。

这个内存研发团队已成立10年，在投入MRAM内存研发过程中，历经被质疑、整并等波折，该团队以屡挫不败的精神持续投入MRAM内存，不仅10年创造4次获奖记录，更以MRAM相关技术开发出磁性传感器，结合加速度计可以已达到陀螺仪相似功能，可应用在电子罗盘，手机导航、定位。

今年荣获杰出研究金奖的「超低电压/超低功耗系统芯片设计技术」，其超低电压技术(Ultra-Low Voltage,简称ULV)，成功的将电子装置中芯片的功耗降到最低能耗，以有效延长产品用电时间，此技术并适用在多种制程及操作情境。搭配热电能源撷取技术，可追踪最佳用电效率功率，以突破热电转换限制，达到常温下即可发电。

若将超低电压相关技术导入智能型手持装置或安全监控设备，能大幅改善功耗管理问题，完成自给自足小型系统运作；未来若与国内厂商进行进一步产品垂直链整合，预计可为IC产业创造无限商机。