一组在电子与计算机专门学校（英国南安普敦-Southampton大学）的工程师，不久前发展了一个新方法，制作出比目前组件装置快两倍的双极晶体管晶体管。双极晶体管是一种固体状态的半导体组件，通常应用在移动电话与个各种无线电系统上。

根据从事此项研究的Peter Ashburn教授谈到，这是他们与STC Microelectronics所作的共同研究，研究人员使用标准的双极硅晶体管技术，以及氟植入体来传送出记录高达110 GHz的执行速率，这是目前晶体管速率的两倍。

「经由使用氟植入体，此一晶体管就可以在一个较高的频率上作业，这意谓它能以两倍快于以前速率的基本概念。」Ashburn教授如是说。

使用氟植入体，在晶体管的基质上可以抑制硼的扩散，这也表示基底的宽度变得更窄了，如此就能使电子穿越移动的速度变得更快。

Ashburn教授进一步说明：「此一研究的成果将可使电子产业界，只增加些微的成本，就能达到更佳的执行效能。」

Ashburn教授与他的研究小组相信未来还有空间，将硼扩散进一步降低达百分之五十。他们现在正在观察有关氟运作的行为模式，并且注意是否有其它材料也能够抑制这种扩散。Ashburm评论道：「无论如何，我们已经打破了世界记录，也改善硅晶效能达到一定的程度。」