全球手机用ic订单已自上月起开始回流，估计在第四季就会明显好转，为能配合客户，稳懋已决定于12月将月产能提高至1500片，明年规划年产能将按照原定规划增加为30000片，而晶圆二厂计划也预定在明年展开。另一方面，由于采E-MODE技术的pHEMT制程已渐成熟，公司预定将HBT与pHEMT比重，从今年七比三在明年调整为六比四。

稳懋表示，7月起砷化镓晶圆代工的成长率已回归平衡点，8月更出现成长。也因此，公司对第四季砷化镓晶圆代工景气转趋乐观，预估今年12月时月产能将从目前的5、600片激增至1500片。

而在客户对明年产能需求提高下，稳懋也指出，虽然目前规划年产能高达10万片的晶圆一厂，必须至2005年才会达到产能满载水平，不过公司已开始规划明年晶圆二厂的建厂动作。

此外，稳懋原先所规划HBT与pHEMT七比三的比例，也将反应市场需求而调整为六比四。稳懋表示，由于现有HBT制程的功率放大器在工作电压的特性上，有无法降至三伏特以下的限制，但随着手机逐步朝高频发展的趋势，对于省电的要求也越来越高，因此公司已投入最低能将工作电压降至1.5伏特水平的EnchanceMode pHEMT制程，预计明年第二季可进入量产。