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硅成开始量产250MHz 8Mbit SRAM
 

【CTIMES / SMARTAUTO ABC_1 报导】    2002年09月12日 星期四

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台湾静态随机存取内存领导厂商-硅成集成电路,日前宣布其250MHz 8Mbit同步静态随机存取内存已进入量产阶段,可满足目前快速起飞的高阶网络通讯市场上对于高速同步静态随机存取内存的需求.

高阶网络通讯市场的蓬勃发展,加快涵盖了高阶局端设备,广域局域网络系统与光纤网络系统等在内的高阶产品研发速度,并带动了对于高速同步静态随机存取内存的需求.硅成8Mbit同步静态随机存取系列目前已进入量产阶段,速度可达250MHz,以台积电0.15微米制程技术进行量产, 成本效益高.硅成集成电路内存市场部暨业务部协理黄秀廷表示「以SRAM起家的硅成,拥有技术领先的优势,广且深的产品线正是我们SRAM的产品策略,继8Mbit 同步SRAM之后,我们也将推出更高容量的16Mbit 同步SRAM, 并以长期供货的承诺满足客户的需求.在硅成,客户将可一次完整采买其所需要的各种规格的SRAM.」

针对不同设计平台的需求,硅成8Mbit同步静态随机存取内存系列可以x18bit, x32bit, x36bit三种结构及pipeline与flow-through两种不同版本之TQFP与BGA包装方式进行供货, 速度范围为133MHz至250MHz, 并提供客户工业标准规格与商业标准规格两种选择空间.

關鍵字: 硅成集成电路  黄秀廷  静态随机存取内存 
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