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Renesas将委托力晶代工生产闪存
 

【CTIMES / SMARTAUTO ABC_1 报导】    2003年11月19日 星期三

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日本半导体大厂日立与三菱合资之瑞萨半导体(Renesas)日前宣布将应用于数字相机和移动电话的1Gb闪存芯片,委托台湾力晶半导体代工,以提高产量;瑞萨表示,力晶将于2004年4~9月开始量产高容量的AND型闪存。

据路透社报导,尽管全球规模有22.5亿美元的闪存市场,可说是日本东芝与韩国三星电子两家大厂的天下,但瑞萨希有信心以其AND技术来拓展市占率。AND是类似NAND型的闪存技术;瑞萨表示,该公司的1Gb AND型闪存能够储存逾100个高分辨率静止图片,数据抹除与写入的速度亦胜于NAND型闪存。

瑞萨发言人表示,该公司将于9月开始在旗下Trecenti Technologies所使用的工厂生产1Gb的闪存芯片;目前公司每月生产180万颗1Gb闪存芯片,而在2004年4月开始的会计年度期间,瑞萨打算提高月产量至500万颗。

目前东芝每月可生产215万颗1Gb闪存芯片,而该公司预计于2004年3月推出2Gb的NAND闪存芯片,瑞萨则紧追在后计划在2004~2005年间开始量产4Gb的产品,并在预计于2006~2007年底前量产8Gb产品。

關鍵字: Renesas  多次刻录只读存储器 
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