《电子设计应用》杂志日前举行了2004年度电源产品奖颁奖典礼，快捷半导体获颁「最佳功率元器件大奖」。所有参选产品都根据多项关键标准进行了严格的评审，包括市场地位和竞争力、测试和应用评估报告等。

快捷半导体获奖的两项高电压MOSFET产品采用新型的SuperFET技术，能大幅降低系统功率损耗，并且增加开关电源 (SMPS) 和功率因子校正 (PFC) 应用的效率和可靠性。快捷半导体的专利SuperFET技术利用多重外延层来构成补偿区域，以改善导通阻抗性能。FCP11N60和FCPF11N60 SuperFET MOSFET具有低FOM值 (FOM = RDS(on) x Qgd)，与拥有相同RDS(on)水平的产品相比，FCP11N60器件具有更佳的FOM。

快捷半导体技术及应用支持中心副总裁王瑞兴称：「对于能够获得这项殊荣，我们深感自豪。这是对于公司的卓越技术和市场表现的认可，快捷半导体可藉此向新老客户清楚地显示与快捷半导体合作所带来的优势。」