据工商时报消息，全球芯片制造龙头英特尔宣称在改善先进制程芯片漏电的问题上有重大进展，将在下一世代(65奈米)制程引进一个旨在追求省电表现的独立制程，可有效减少漏电流问题。

最新计算机芯片制程常有晶体管的电流漏电，进而减损电池寿命及产生过热等问题，半导体产业主管警告，若不能有效改善此一问题，产业追求电路微小化的步调势必会放缓，不利电子产业降低成本及经营绩效。

英特尔宣布消息指出，该公司正为手机及笔记本电脑等可携式产品开发一个独立的制程，可减少1000个漏电流因子。英特尔高层并表示，他们已开发出证明此一方法有效的原型芯片，但此项技术最快要等到2007年初才会商业化量产。

其他业者同样致力于漏电问题的改善，德州仪器也宣布一项减少漏电的SmartFlex技术，而一些分析师认为，包括德仪及飞思卡尔(Freescale)等芯片业者可能将仿效英特尔的方法。